ОБ ЭТОМ ЭПИЗОДЕ

Outline:Background informationNBTI interpreted by R-D modelThe act of measurement and observed quantityNBTI vs. Light-induced DegradationPossibility of Degradation-free TransistorsConclusions

английский

объединенное Королевство

ИспользуйтеAPI, чтобы загрузить этот эпизод вJSON.

ПОИСК ПРОШЛЫХ ЭПИЗОДОВ

Искать прошлые эпизоды [Audio] Nanostructured Electronic Devices: Percolation and Reliability.

Вставьте эту панель поиска на свой сайт

ДРУГИЕ ЭПИЗОДЫ В ЭТОМ ПОДКАсте

Lecture 10: Interface Damage & Negative Bias Temperature Instability

2 февраля 2010 г.

None

СОХРАНИТЬ

Клип

Lecture 9: Breakdown in Thick Dielectrics

5 апреля 2010 г.

None

СОХРАНИТЬ

Клип

Lecture 7: On Reliability and Randomness in Electronic Devices

14 апреля 2010 г.

None

СОХРАНИТЬ

Клип

Lecture 5: 2D Nets in a 3D World: Basics of Nanobiosensors and Fractal Antennae

27 октября 2009 г.

None

СОХРАНИТЬ

Клип

Lecture 8: Mechanics of Defect Generation and Gate Dielectric Breakdown

10 марта 2010 г.

None

СОХРАНИТЬ

Клип

Отказ от ответственности: Подкаст и иллюстрации, встроенные в эту страницу, взяты из Muhammad A. Alam, который является собственностью его владельца и не связан или не одобрен Listen Notes, Inc.